Компания Micron Technology анонсировала выпуск самых быстрых модулей памяти DDR5 RDIMM емкостью 256 ГБ. Новинка создана на основе передовой технологии 1-гамма DRAM с 3D-стекированием и сквозными кремниевыми переходными отверстиями TSV. Она способна работать на скорости до 9200 МТ/с. Это более чем на 40 % быстрее по сравнению с существующими модулями DDR5 RDIMM массового производства.

  Ключевым преимуществом Micron стала не только скорость, но и энергоэффективность. Один модуль на 256 ГБ снижает энергопотребление более чем на 40 % относительно двух модулей на 128 ГБ. Этот показатель также критически важен при развертывании масштабных центров обработки данных.