Компания Samsung Electronics анонсировала разработку первых в отрасли чипов памяти GDDR7 объемом 3 ГБ., способных достигать рекордной скорости передачи данных в 40 Гбит/с.

  Новые модули построены на базе техпроцесса 10-нанометрового класса и предлагают ряд ключевых улучшений:

• Рекордная скорость: Благодаря использованию трехуровневой модуляции PAM3, пропускная способность выросла на 25% по сравнению с предыдущими образцами (32 Гбит/с). В определенных сценариях скорость может достигать 42,5 Гбит/с.
• Увеличенная емкость: Вместо стандартных 2 ГБ. , новые чипы имеют объем 3 ГБ. Это позволяет создавать видеокарты с нестандартным объемом памяти, например, 24 ГБ на 256-битной шине или 36 ГБ на 384-битной.
• Энергоэффективность: Применение технологий управления питанием, ранее применявшихся только в мобильных LPDDR-решениях, удалось снизить энергопотребление на 30%.